Plokščių valymas – tai cheminių arba fizinių metodų, skirtų teršalams ir oksidams pašalinti iš plokštelės paviršiaus gaminant integrinius grandynus, naudojimas, siekiant atitikti plokštelės paviršiaus švaros reikalavimus. Vaflių valymo principas – pašalinti įvairius nešvarumus nepažeidžiant plokštelės.
Yra keturi pagrindiniai dalelių pašalinimo mechanizmai: tirpimas, oksidacinis skilimas, elektrinis atstūmimas tarp dalelių ir silicio plokštelių paviršių bei nedidelė silicio plokštelių paviršių korozija.
Metalo dalelėms pašalinti dažniausiai naudojamas SC-2 tirpalas arba HPM tirpalas metalo kiekiui plokštelės paviršiuje sumažinti. SC-2 tirpalas kristalizuojasi, todėl po valymo ant plokštelės paviršiaus gali padidėti dalelių skaičius. Todėl vietoj HCL galima naudoti HF arba vietoj SC-2 tirpalo galima naudoti O3 kartu su HF, kad būtų efektyviai pašalintos metalo dalelės.
Organiniams teršalams šalinti dažniausiai naudojamas SPM tirpalas arba UV/ozono cheminio valymo technologija.
Po šlapio valymo vaflį reikia kruopščiai išdžiovinti, kad ant paviršiaus nebūtų vandens žymių prieš pradedant kitą procesą. Trys dažniausiai šiuo metu galimi džiovinimo režimai yra rotacinis džiovinimas, Marangoni džiovinimas ir karšto izopropanolio purškimo džiovinimas.
