Produkto apžvalga
Mūsų ICP ėsdinimo serija (induktyviai susietas plazminis ėsdinimo įrenginys) yra pažangiausias{0}}sausojo ėsdinimo sprendimas, sukurtas didelio-tiksliam mikrogamybai-, puikiai tinkantis pažangiems puslaidininkių ir mikroelektronikos darbams. Jis remiasi induktyviai susietos plazmos technologija, kad būtų užtikrintas kietas plazmos tankis, patikimas proceso valdymas ir platus medžiagų pritaikymas. Šios funkcijos atitinka griežtus naujos kartos įrenginių gamybos, medžiagų tyrimų ir pramoninės gamybos reikalavimus. Suporavome naujovišką plazmos generavimą su tiksliu parametrų derinimu ir lanksčiomis konfigūravimo parinktimis, leidžiančiomis naudotojams išgraviruoti aukštą-vaizdo-santykio ėsdinimą, kuris yra mažai pažeidžiamas ir nuoseklus. Tai tikrai tapo įrankiu, skirtu mikro-nano apdorojimui tobulinti.
Programos
1. Puslaidininkių ir IC gamyba: priekinio-galo tranzistorių modeliavimas, TSV (per-Silicon Via) ėsdinimas ir pažangus pakavimo darbas – tokie pagrindiniai procesai, kurie leidžia IC gamybai tęstis.
2. Sudėtiniai puslaidininkiniai įrenginiai: GaN{1}}pagrįstos galios elektronikos kūrimas, GaAs/InP optoelektronika (galvokite apie šviesos diodus, lazerius, fotodetektorius) ir SiC maitinimo įrenginiai, skirti didelio našumo programoms.
3. MEMS ir mikroskysčiai: didelio-krašto-santykio struktūros ėsdinimas, pritaikytas mikro-jutikliams, pavaroms ir diagnostiniams mikrofluidiniams lustams.
4. 2D Medžiagos ir nanotechnologijos: tikslus 2D medžiagų (grafeno, MoS₂) ėsdinimas ir modeliavimas – itin naudinga naujos-generacijos elektroniniams įrenginiams ir nano-masto tyrimų projektams.
Privalumai
- Uni{0}}kėbulo dizaino koncepcija: išskirtinis pėdos-spaudas (nuoroda 1,0 m* 1,5 m)
- Proceso projektavimo rinkiniai, priklausomai nuo reikalavimų: geresnis proceso našumas
- Kameros įdėklas, elektrodo temperatūros valdymas: tinka įvairiems procesams
- Reguliuojamas plazmos iškrovos tarpas: derinamas kaip parametras, priklausomai nuo to
- Privaloma orientacija į kainą arba našumą: RF, siurblys, vertės ir tt, priklausomai nuo reikalavimų
- Plazmos specializacija: mažos galios plazmos technologija, jonų pažeidimas-laisvas
- Pavyzdžio tvarkymas neprivalomas: atidaryti-Įkelti arba įkelti-užrakinti
Parametrai
|
Specifikacija |
Parametrai |
|
Vaflių dydžių diapazonas |
4,6,8,12 colių arba kelių{4}}plokštelių pasirinktinai |
|
Oforto medžiagos |
Si-pagrindas (Si/SiO2/SiNx/SiC/kvarcas ir kt.), |
|
Vakuuminis |
TMP ir mechaninis siurblys |
|
RF galia |
Šaltinis 1000-3000W, poslinkis 300-1000W, neprivaloma |
|
Dujų sistema |
5 linijos (standartinis) ir He backside aušinimas, arba |
|
Vaflių scena |
Nuo -70 laipsnių iki 200 laipsnių, neprivaloma |
|
Ne{0}}vienodumas |
Mažiau nei ±5 % (kraštų išskyrimas) |
DUK
Kokie pagrindiniai ICP Etcher pranašumai, palyginti su tradicine oforto įranga?
Jis pasižymi dideliu plazmos tankiu (10¹¹–10¹² cm⁻³), kad ėsdinimas būtų greitesnis (iki 10 000 Å/min) ir dvigubas nepriklausomas RF valdymas (šaltinis + poslinkis), leidžiantis tiksliai nustatyti plazmos tankį ir jonų energiją. Taip pasiekiama puiki anizotropija, itin-maži jonų pažeidimai ir ėsdinimo ne{7}}vienodumas<±3%, outperforming traditional etchers in high-precision and complex process scenarios.
Su kokiais dydžiais ir medžiagomis suderinamas ICP Etcher?
Jis palaiko 4/6/8/12-colių vienos-plokštelės arba kelių-plokščių apdorojimą su pritaikomais pavyzdiniais etapais, skirtais specialiems pagrindams. Apima medžiagas, kurių sudėtyje yra Si (Si/SiO2/SiNₓ/SiC), sudėtiniai puslaidininkiai (GaN/GaAs/InP/Ga₂O3), 2D medžiagos (grafenas/MoS₂/BN), metalai (W/Ta/Mo), deimantas ir polimerai.
Ar įranga gali būti pritaikyta specifiniams proceso poreikiams?
Taip, ji siūlo lanksčias konfigūracijas: pasirenkamą Open{0}}Load/Load-Užrakinimo mėginių tvarkymą, 4–8 plečiamas dujų linijas, tinkinamus RF galios diapazonus, -70–200 laipsnių plokštelės stadijos temperatūros valdymą ir priedus, pvz., in-OES galinio taško stebėjimui. Galimi į sąnaudas arba našumą orientuoti modeliai, atitinkantys tyrimų ar masinės gamybos reikalavimus.
Koks yra tipiškas ėsdinimo našumas (kraštinių santykis, selektyvumas, šoninės sienelės kokybė)?
Pasiekiamas kraštinių santykis iki 30:1, selektyvumas (pvz., SiO₂/Si) iki 150:1, o šoninės sienelės statumas didesnis nei 89 laipsniai, todėl idealiai tinka didelio -krašto-santykio struktūros ėsdymui MEMS, TSV ir pažangiuose puslaidininkiniuose įrenginiuose.
Kokią vakuuminę sistemą naudoja įranga ir kiek ji stabili?
Jame yra TMP turbomolekulinis siurblys + mechaninis siurblys, pasiekiantis bazinį slėgį, mažesnį arba lygų 5 × 10⁻⁷ Torr, ir tikslus proceso slėgio valdymas (1–1000 mTorr per MFC), užtikrinantis pastovų plazmos stabilumą ir ėsdinimo kokybę.
Ar ICP Etcher tinka mažai{0}}pažeidžiamoms jautrioms medžiagoms apdoroti?
Taip, jame siūlomas pasirenkamas mažo-pokrypio plazmos režimas, kuris sumažina jonų bombardavimo žalą, todėl yra suderinamas su 2D medžiagomis, trapiais optoelektroniniais įrenginiais ir didelio našumo{2}}puslaidininkiais, kuriems reikalingas paviršiaus vientisumo išsaugojimas.
Kokiems taikymo scenarijams įranga skirta?
Jis plačiai naudojamas puslaidininkių / IC gamyboje (tranzistorių modeliavimas, TSV ėsdinimas), sudėtiniuose puslaidininkiniuose įrenginiuose (GaN galios elektronikoje, LED lazeriuose), MEMS / mikrofluidikoje, 2D medžiagų tyrimuose ir biomedicinos prietaisų apdorojime (implanto paviršiaus modifikavimas).
Kokie yra įrengimo vietos ir naudingumo reikalavimai?
Kompaktiškas integruotas dizainas turi ~1,0 m × 1,5 m plotą. Reikalavimai komunalinėms paslaugoms apima standartinį maitinimo šaltinį, aušinimo vandenį, švarų sausą orą ir išmetimo sistemą-išsamios specifikacijos pateiktos išankstinio-diegimo vadove, skirtame paruošti svetainę.
Koks palaikymas po{0}}pardavimo ir mokymai teikiami?
Siūlome{0}}įrengimo, paleidimo ir pritaikytų procesų mokymus vietoje. Pasaulinė techninio palaikymo komanda teikia nuotolinę pagalbą 24 valandas per parą, 7 dienas per savaitę, tiekia atsargines dalis ir reguliariai prižiūri, kad būtų sumažintos prastovos.
Kaip ICP Etcher subalansuoja išlaidas ir našumą skirtingiems vartotojams?
Jame pateikiamos dvi konfigūracijos kryptys: į sąnaudas-pagrįstos versijos su pagrindiniais pagrindiniais komponentais laboratoriniams tyrimams ir į našumą-orientuotas parinktis (didelės-galios RF, pažangūs stebėjimo moduliai) pramoninei masinei gamybai,-užtikrinant optimalų sąnaudų-efektyvumą įvairiems naudotojų poreikiams.
Populiarus Žymos: icp etcher, Kinijos icp etcher gamintojai, tiekėjai
